<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">innovation</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Информация и инновации</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Information and Innovations</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1994-2443</issn><issn pub-type="epub">2949-2157</issn><publisher><publisher-name>МЦНТИ</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.31432/1994-2443-2018-13-4-99-106</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">innovation-94</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>РАЗДЕЛ НАУКОМЕТРИЯ И БИБЛИОМЕТРИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>SECTIONS SCIENTOMETRICS AND BIBLIOMETRICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>История развития книжного документопотока по физике полупроводников в России</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>The Development History of the Book flow of the Physics of Semiconductors in Russia</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Шабурова</surname><given-names>Н. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Shaburova</surname><given-names>N. N.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">shaburova@isp.nsc.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Неизвестный</surname><given-names>И. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Neizvestniy</surname><given-names>I. G.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2018</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>30</day><month>12</month><year>2018</year></pub-date><volume>13</volume><issue>4</issue><fpage>99</fpage><lpage>106</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Шабурова Н.Н., Неизвестный И.Г., 2018</copyright-statement><copyright-year>2018</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Шабурова Н.Н., Неизвестный И.Г.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Shaburova N.N., Neizvestniy I.G.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://journal.icsti.int/jour/article/view/94">https://journal.icsti.int/jour/article/view/94</self-uri><abstract><p>Приведены исторические факты, касающиеся российского документопотока по физике полупроводников, представлены библиометрические показатели</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The historical facts related to the documentaryflow in thefield of semiconductor physics are formulated and the bibliometric indicators are presented.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>Документопоток</kwd><kwd>физика</kwd><kwd>полупроводники</kwd><kwd>история научного документопотока</kwd><kwd>комплектование</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">лет Институту физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук / отв. ред. И.Г. Неизвестный. Новосибирск, 2004. 376 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">лет Институту физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук / отв. ред. И.Г. Неизвестный. Новосибирск, 2004. 376 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">лет Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук / отв. ред. И.Г. Неизвестный. Новосибирск.- 2014.- 310 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">лет Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук / отв. ред. И.Г. Неизвестный. Новосибирск.- 2014.- 310 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Алфёров Ж.И. Нанотехнологии микроэлектроники и энергетики / Ж.И.Алфёров. // Вестник РАН.- 2009.- Т. 79.- № 3.- С. 224-229.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Алфёров Ж.И. Нанотехнологии микроэлектроники и энергетики / Ж.И.Алфёров. // Вестник РАН.- 2009.- Т. 79.- № 3.- С. 224-229.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бакунин, О.Г. Загадки диффузии илабиринты судьбы / О. Г. Бакунин. УФН.- 2003.- Том 173.- №3.- С. 317-32.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Бакунин, О.Г. Загадки диффузии илабиринты судьбы / О. Г. Бакунин. УФН.- 2003.- Том 173.- №3.- С. 317-32.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Библиография по термоэлектричеству / АН СССР; Ин-т полупроводников; отв. ред. В.П. Жузе. / М.; Л.: Изд-во АН СССР.- 1963.- 352 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Библиография по термоэлектричеству / АН СССР; Ин-т полупроводников; отв. ред. В.П. Жузе. / М.; Л.: Изд-во АН СССР.- 1963.- 352 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Богданов С.В. Основоположник полупроводниковой электроники в России / С.В. Богданов, И.Г. Неизвестный // Наука в Сибири. - 2013. - №39.- С. 8-9.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Богданов С.В. Основоположник полупроводниковой электроники в России / С.В. Богданов, И.Г. Неизвестный // Наука в Сибири. - 2013. - №39.- С. 8-9.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Большая Российская энциклопедия. В 30 тт. М.- 2005- т.11.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Большая Российская энциклопедия. В 30 тт. М.- 2005- т.11.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Вавилов В.С. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В.С. Вавилов, В.Ф. Киселёв, Б.Н. Мукашев.- М.: Наука.- 1990.- 216 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Вавилов В.С. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В.С. Вавилов, В.Ф. Киселёв, Б.Н. Мукашев.- М.: Наука.- 1990.- 216 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Владимир Максимович Туркевич (к семидесятилетию со дня рождения) / А.П. Александров [и др.] // УФН.- 1975.- Т.115.- № 1.- С.149-152.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Владимир Максимович Туркевич (к семидесятилетию со дня рождения) / А.П. Александров [и др.] // УФН.- 1975.- Т.115.- № 1.- С.149-152.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Волькенштейн Ф.Ф. Электропроводность полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн. М.; Л.: Гос. изд-во техн.-теорет. лит.- 1947.- 352 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Волькенштейн Ф.Ф. Электропроводность полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн. М.; Л.: Гос. изд-во техн.-теорет. лит.- 1947.- 352 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Городецкий А.Ф. Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А.Ф. Городецкий, А.Ф. Кравченко, Е.М. Самойлов; АН СССР, Сиб. отд-ние.- Новосибирск: Наука.- 1966. - 350с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Городецкий А.Ф. Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А.Ф. Городецкий, А.Ф. Кравченко, Е.М. Самойлов; АН СССР, Сиб. отд-ние.- Новосибирск: Наука.- 1966. - 350с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гуртов В.А. Физические принципы МОП-структур на кремнии и электрофизические процессы в них: библиогр. указ. отечеств. ииностр. лит. за 1964-1978 гг. / В.А. Гуртов, О.Ф. Лебедева; ИФП СО РАН. Новосибирск.- 1980.- 234 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гуртов В.А. Физические принципы МОП-структур на кремнии и электрофизические процессы в них: библиогр. указ. отечеств. ииностр. лит. за 1964-1978 гг. / В.А. Гуртов, О.Ф. Лебедева; ИФП СО РАН. Новосибирск.- 1980.- 234 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Драгунов В.П. Основы наноэлектроники : учеб. пособие / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ.- 2000. - 332с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Драгунов В.П. Основы наноэлектроники : учеб. пособие / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ.- 2000. - 332с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Методы определения редких металлов и полупроводниковых материалов (книжная, журнальная ипатентная литература за 1955-1960 гг.): библиогр. указ. / Гос. ком. Сов. мин. СССР по координации науч.-исслед. работ. М. - 1961.- 260 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Методы определения редких металлов и полупроводниковых материалов (книжная, журнальная ипатентная литература за 1955-1960 гг.): библиогр. указ. / Гос. ком. Сов. мин. СССР по координации науч.-исслед. работ. М. - 1961.- 260 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Научная литература по диэлектрикам и полупроводникам. Библиография 1953-1955 / сост. А.Н.Груздева. Л., 1956. 256 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Научная литература по диэлектрикам и полупроводникам. Библиография 1953-1955 / сост. А.Н.Груздева. Л., 1956. 256 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Научная литература по диэлектрикам и полупроводникам. Библиография 1956-1958 / сост. А.Н.Груздева. Л., 1960. 410 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Научная литература по диэлектрикам и полупроводникам. Библиография 1956-1958 / сост. А.Н.Груздева. Л., 1960. 410 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Научная литература по полупроводникам. Библиография 1920-1952 / сост. В.П. Жузе; АН СССР; Институт полупроводников. М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1955. 632 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Научная литература по полупроводникам. Библиография 1920-1952 / сост. В.П. Жузе; АН СССР; Институт полупроводников. М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1955. 632 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Научная литература по полупроводниковым электронным приборам (детекторы итранзисторы). Библиография 1945-1955 гг. / сост. к.ф.-м.н. В.П. Жузе. М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1959. 328 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Научная литература по полупроводниковым электронным приборам (детекторы итранзисторы). Библиография 1945-1955 гг. / сост. к.ф.-м.н. В.П. Жузе. М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1959. 328 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Научные работы по диэлектрикам [библиография 1930-1949] / сост. д.т.н. Б.М. Тареева. М.: Изд-во АН СССР, 1952. 672 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Научные работы по диэлектрикам [библиография 1930-1949] / сост. д.т.н. Б.М. Тареева. М.: Изд-во АН СССР, 1952. 672 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Остроумова Е.В., Лосев О.В.- пионер полупроводниковой электроники [Электронный ресурс] // Исторические заметки. URL: http://wmw-magazine.ru/uploads/volumes/02/36-41a.pdf.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Остроумова Е.В., Лосев О.В.- пионер полупроводниковой электроники [Электронный ресурс] // Исторические заметки. URL: http://wmw-magazine.ru/uploads/volumes/02/36-41a.pdf.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пожела Ю. Физика сверхбыстродействующих транзисторов / Ю. Пожела, В. Юцене. Вильнюс: Мокслас, 1985. 112 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пожела Ю. Физика сверхбыстродействующих транзисторов / Ю. Пожела, В. Юцене. Вильнюс: Мокслас, 1985. 112 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Чёрный А.И. Всероссийский институт научной и технической информации: 50 лет служения науке / РАН; ВИНИТИ. - М.: ВИНИТИ, 2005. URL: https://www.iis.nsk.su/les/viniti_50_year_2005.pdf.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Чёрный А.И. Всероссийский институт научной и технической информации: 50 лет служения науке / РАН; ВИНИТИ. - М.: ВИНИТИ, 2005. URL: https://www.iis.nsk.su/les/viniti_50_year_2005.pdf.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шалимова К.В. Физика полупроводников: учеб. СПб.: Изд-во «Лань», 2010. 392 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Шалимова К.В. Физика полупроводников: учеб. СПб.: Изд-во «Лань», 2010. 392 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
